什么是半蚀刻？

直接回答：半蚀刻（Half Etching，又称半腐蚀、凹蚀）是只把金属厚度蚀掉一部分、不蚀穿的工艺，常做到板厚的 30%–70%，用来在金属表面做出凹槽、台阶、折弯线、减薄区和 2.5D 字符。它靠控制蚀刻时间、单/双面掩膜保护和喷淋均匀性，把腐蚀精确停在目标深度。和把金属"蚀穿"的全蚀刻不同，半蚀刻留下的是有深度的凹型。下面讲清深度怎么控制、能做什么、流程和难点。

半蚀刻 vs 全蚀刻

全蚀刻（通蚀）把金属完全蚀穿，得到镂空图形或独立的薄片零件，比如蚀刻网孔、垫片、引线。半蚀刻则在到达目标深度时就停下，保留底部金属，形成凹槽或减薄。两者用的是同一套光化学蚀刻工艺，区别在于是否蚀穿以及深度控制。半蚀刻最大的价值是：能在同一片金属上做出不同厚度的区域，而冲压、折弯很难做到。

半蚀刻能做多深、深度怎么控制

常见半蚀刻深度为板厚的 30%–70%，也可按图纸做指定深度（如 0.05mm、0.1mm 台阶）。控制深度的关键手段：

• 蚀刻时间：在稳定蚀刻速率下，时间越长越深，通过先做蚀刻速率曲线再精确定时；
• 单面保护：背面整面贴膜，只让正面被腐蚀，避免双面同时减薄；
• 蚀刻液稳定：保持比重、温度、浓度稳定，蚀刻速率才可预测；
• 喷淋均匀：喷嘴阵列与摆喷保证整版深度一致；
• 过程抽检：用深度计/千分尺抽测，逼近目标深度后停机。

典型应用

• 引线框架（lead frame）：半导体封装框架的台阶与减薄区；
• 2.5D 金属字符 / 标牌：凹下去的文字和 Logo，配 填漆 做立体色差；
• 折弯线 / 易折线：在弯折处半蚀减薄，便于精准折弯；
• 局部减薄：弹片、屏蔽件、散热件的指定区域减薄；
• 台阶与凹槽：装配定位槽、嵌件槽、密封槽；
• 仪表刻度、铭牌凹字：精密浅凹图文。

半蚀刻工艺流程

半蚀刻的前段和普通蚀刻一致，区别在掩膜设计和蚀刻控深：

• ① 前处理：清洗去油去氧化；
• ② 制版上膜：贴干膜或涂感光胶，正面按图形开窗、背面整面保护（单面半蚀）；
• ③ 曝光显影：转移图形、显出待蚀区；
• ④ 控深蚀刻：按预定速率定时蚀刻，过程抽测深度；
• ⑤ 退膜清洗：去除掩膜、清洗烘干；
• ⑥ 检验：测深度、台阶宽度与一致性。

精度与难点

• 深度均匀性：整版各处深度要一致，依赖喷淋均匀与蚀刻液稳定；
• 侧蚀：半蚀同样有侧蚀，凹槽会比掩膜开窗略宽，精细图形要预留补偿；
• 底面平整度：凹底要平，蚀刻速率与液流要稳；
• 深度一致的批量复现：批次间要靠监控蚀刻液参数和定时来复现。

设备怎么配套

半蚀刻对喷淋均匀性和蚀刻液稳定性要求高，建议用精密蚀刻生产线或双面精密蚀刻机，配曝光机与显影退膜清洗线；小批量精密件可用小型精密蚀刻机；标牌类凹字可用标牌蚀刻机。整体设备选型见 蚀刻机选型指南。